東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”。這是東芝首款具有此類電壓等級(jí)的產(chǎn)品，與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件的陣容。
新模塊在安裝方式上與廣泛使用的硅(Si) IGBT模塊兼容。它們的低能量損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對(duì)更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器，以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。
應(yīng)用
軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
電機(jī)控制設(shè)備
高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
特點(diǎn)
安裝方式兼容Si IGBT模塊
損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值）, Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A, Tch=150°C
主要規(guī)格
（除非另有規(guī)定，否則@Tc=25°C） |
部件編號(hào) | MG600Q2YMS3 | MG400V2YMS3 |
封裝 | 2-153A1A |
絕對(duì) 最大 額定值 | 漏-源電壓VDSS (V) | 1200 | 1700 |
柵-源電壓VGSS (V) | +25/-10 | +25/-10 |
漏極電流 (DC) ID (A) | 600 | 400 |
漏極電流（脈沖）IDP (A) | 1200 | 800 |
溝道溫度Tch (°C) | 150 | 150 |
隔離電壓Visol (Vrms) | 4000 | 4000 |
電氣 特性 | 漏-源導(dǎo)通電壓（感應(yīng)） VDS(on)sense典型值(V) | @VGS =+20V, Tch＝25°C | 0.9 @ID＝600A | 0.8 @ID＝400A |
源-漏導(dǎo)通電壓（感應(yīng)） VSD(on)sense典型值(V) | @VGS =+20V, Tch＝25°C | 0.8 @IS＝600A | 0.8 @IS＝400A |
源-漏關(guān)斷電壓（感應(yīng)） VSD(off)sense典型值(V) | @VGS =-6V, Tch＝25°C | 1.6 @IS＝600A | 1.6 @IS＝400A |
開(kāi)通損耗Eon typ. (mJ) Eon典型值(mJ) | @Tch=150°C | 25 @ VDS=600V, ID=600A | 28 @VDS=900V, ID=400A |
關(guān)斷損耗Eoff typ. (mJ) Eoff典型值(mJ) | @Tch=150°C | 28 @ VDS=600V, ID=600A | 27 @VDS=900V, ID=400A |
熱敏電阻特性 | 額定NTC電阻R典型值(kΩ) | 5.0 | 5.0 |
NTC B值 B典型值(K) | ＠TNTC=25 - 150°C | 3375 | 3375 |
